首頁|滾動|國內|國際|運營|制造|監管|原創|業務|技術|報告|測試|博客|特約記者
手機|互聯網|IT|5G|光通信|LTE|云計算|芯片|電源|虛擬運營商|移動互聯網|會展
首頁 >> 必讀二 >> 正文

李在镕:三星計劃利用全球首個3納米工藝制造芯片

2020年1月3日 08:36  新浪科技  

北京時間1月2日晚間消息,據韓國媒體報道,三星電子事實上的領導人李在镕(Lee Jae-yong)今日討論了三星利用全球首個3納米工藝制造芯片的戰略計劃。

該報道稱,李在镕今日參觀了三星電子位于京畿道華城(Hwaseong)的半導體研發中心。這也是李在镕在2020年的首個官方行程,期間,他聽取三星電子3納米制程技術報告,并與半導體部門主管討論了新一代半導體戰略。

據三星電子稱,李在镕討論了三星計劃采用正在研發中的最新3納米全柵極(GAA)工藝技術來制造尖端芯片的計劃。GAA被認為是當前FinFET技術的升級版,能確保芯片制造商進一步縮小芯片體積。

去年4月,三星電子完成了基于極端紫外線技術(EUV)的5納米FinFET工藝技術的研發。如今,該公司正在研究下一代納米工藝技術(即3納米GAA)。三星電子表示,與5納米制造工藝相比,3納米GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了約30%。

對于李在镕此次參觀半導體研發中心,三星發言人稱:“李在镕今日訪問半導體研發中心,再次凸顯三星承諾成長為“非內存芯片”市場頂級制造商的決心!碑斍,三星已是全球最大的內存芯片制造商。

去年,三星宣布了一項高達133萬億韓元(約合1118.5億美元)的投資計劃,目標是到2030年成為全球最大的“系統級芯片”( SoC)制造商。(李明)

編 輯:值班記者
免責聲明:刊載本文目的在于傳播更多行業信息,不代表本站對讀者構成任何其它建議,請讀者僅作參考,更不能作為投資使用依據,請自行核實相關內容。
相關新聞              
 
人物
亨通崔根良:搶占行業發展制高點,成為行業領跑者
精彩專題
MWC19 上海 - 智聯萬物
2019年世界電信和信息社會日大會
中國電信5G創新合作大會
2019年世界移動大會
CCTIME推薦
關于我們 | 廣告報價 | 聯系我們 | 隱私聲明 | 本站地圖
CCTIME飛象網 CopyRight © 2007-2017 By CCTIME.COM
京ICP備08004280號  電信與信息服務業務經營許可證080234號 京公網安備110105000771號
公司名稱: 北京飛象互動文化傳媒有限公司
未經書面許可,禁止轉載、摘編、復制、鏡像
十一选五走势图江苏